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半導體 LAMP(Applied & Mattson 專用)

半導體 LAMP(Applied & Mattson 專用)

RTP LAMP產品說明
在集成電路芯片的制程中,為了啓用植入摻雜物或變更材料狀態,用以加強所要的屬性 (例如導電性),會利用RTP 的特殊光源以快速高溫或毫秒退火和乾式快速氧化等方式,進行處理, 以達到負載、熱預算縮減、漏電電流和接口質量優化等目的, 退火階段光源高頻率的點滅, 溫度的快速拉升及騶降, 決定於光源產品的穩定性及質量, 也直接影響晶圓上細密電路的導電性質量。
RTP LAMP.png
EPI LAMP產品說明
在集成電路芯片的制程中, EPI制程就是在晶圓基底長出有秩序的磊晶層,好的磊晶層條件, 可以製作更省電的集成電路產品, 此磊晶層成長的溫度比硅的熔點為低, EPI製作過程時間長、溫度高是晶圓製造過程最昂貴的步驟; EPI的特殊光源, 必須達成光形一致性、升降溫快速且溫控穩定, 因為制程時間非常戎長, 所以光源的穩定及壽命至為重要。
epi lamp.png
EPI LAMP 2.jpg
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