在集成電路芯片的制程中,為了啓用植入摻雜物或變更材料狀態,用以加強所要的屬性 (例如導電性),會利用RTP 的特殊光源以快速高溫或毫秒退火和乾式快速氧化等方式,進行處理, 以達到負載、熱預算縮減、漏電電流和接口質量優化等目的, 退火階段光源高頻率的點滅, 溫度的快速拉升及騶降, 決定於光源產品的穩定性及質量, 也直接影響晶圓上細密電路的導電性質量。